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晶閘管模塊是一種多層半導(dǎo)體，它與晶體管的構(gòu)造相似。晶閘管是由三個(gè)部件（陽(yáng)極、陰極、柵極）組成，它不像兩端二極管（陽(yáng)極、陰極）一樣，無(wú)論二極管的陽(yáng)極電壓如何大于陰極電壓，也不會(huì)受控制，晶閘管可以控制，所以晶閘管也叫作可控硅整流器或者是可控硅。晶閘管模塊在設(shè)計(jì)電子工程以及一般電路時(shí)用的較多，另外，還使用如電子元器件等電氣用具。這些電器元件基本上由電阻器、晶體管、電感器以及晶閘管等組成，也可以叫做整流器。晶閘管模塊在大功率變頻技術(shù)中的應(yīng)用主要是進(jìn)行電力變換及控制，按其功能有以下兩種...

晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNP四層三端結(jié)構(gòu)，其等效電路與普通晶閘管相同。盡管它與普通晶閘管在結(jié)構(gòu)和觸發(fā)導(dǎo)通原埋上相同，但兩者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式卻截然不同。普通晶閘管導(dǎo)通后...

可關(guān)斷晶閘管（GateTurn-Offthyristor，簡(jiǎn)稱(chēng)GTO），亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管，是大功率半導(dǎo)體器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器使用，用于控制供鐵路車(chē)輛使用的交流牽引電動(dòng)機(jī)?？申P(guān)斷晶閘管主要特點(diǎn)是當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同。普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電...

近年來(lái)，新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT已逐漸被人們所認(rèn)識(shí)。與以前的各種電力電子器件相比，IGBI、具有以下特點(diǎn)：高輸入阻抗，可采用通用低成本的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路；高速開(kāi)關(guān)特性；導(dǎo)通狀態(tài)低損耗。IGBT在綜合性能方面占有明顯優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于工作頻率為幾十千赫茲，輸出功率為幾千瓦到幾十千瓦的各類(lèi)電力變換裝置。在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，主要考慮以下參數(shù)：IGBT的額定值、短路電流特性、感性負(fù)載的關(guān)斷特性、大柵極發(fā)射極電壓、柵極輸入電容、安全工作區(qū)特性。ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出...

西門(mén)子快速熔斷器突出的優(yōu)點(diǎn)是額定分?jǐn)嗄芰Ω撸嫉伢w積小，有關(guān)試驗(yàn)的基本要求與試驗(yàn)回路數(shù)據(jù)如電壓、功率因數(shù)、分?jǐn)嘞嘟堑鹊仍诘聡?guó)標(biāo)準(zhǔn)(DINVDE0636)和標(biāo)準(zhǔn)(IEC269)中都有詳細(xì)規(guī)定。為了保證從小過(guò)載電流至高短路電流范圍內(nèi)穩(wěn)定的額定分?jǐn)嗄芰Γ谠O(shè)計(jì)和制造熔斷體時(shí)必須重視許多質(zhì)量特征，例如除了熔體設(shè)計(jì)外，對(duì)熔體的外形尺寸、沖裁圖形及其在熔管中的位置、熔管的抗壓強(qiáng)度和溫度交變強(qiáng)度以及石英砂的化學(xué)純度、顆粒大小和振實(shí)密度都具有重要意義。西門(mén)子快速熔斷器的應(yīng)用領(lǐng)域不斷開(kāi)拓與擴(kuò)...

可關(guān)斷晶閘管，亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管，是大功率半導(dǎo)體器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器使用，用于控制供鐵路車(chē)輛使用的交流牽引電動(dòng)機(jī)?？申P(guān)斷晶閘管主要特點(diǎn)是當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同?？申P(guān)斷晶閘管保留了普通晶閘管耐壓高、電流大的優(yōu)點(diǎn)，又具有可自行關(guān)斷的特點(diǎn)，給使用帶來(lái)很大方便，是一種理想的高壓大電流開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于斬波器、逆變器、電子開(kāi)關(guān)、恒壓調(diào)頻裝置及電力系統(tǒng)中。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNP四層三...

三菱IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。IGBT模塊外殼散熱表面積的大小直接影響溫升。對(duì)于溫升的粗略估計(jì)可以使用這樣的公式：溫升=熱阻系數(shù)×功率器件的功耗。熱阻系數(shù)對(duì)于涂黑紫銅的外殼P25xxx來(lái)說(shuō)約為3.76℃/W。這里的溫升和系數(shù)是在功率器件直立并使下方懸空1cm、自然空氣流動(dòng)的情況下測(cè)試的。對(duì)于溫度較高的地方，須將IGBT模塊降額使用以減小功率器件的功耗，從而減小溫升，保證外殼不超...

整流橋就是將數(shù)個(gè)整流管封在一個(gè)殼內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)完整的整流電路。當(dāng)功率進(jìn)一步增加或由于其他原因要求多相整流時(shí)三相整流電路就被提了出來(lái)。三相整流橋分為三相全波整流橋（全橋）和三相半波整流橋（半橋）兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對(duì)輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對(duì)輸出電壓要求不高的整流電路的電容器可裝可不裝。三相整流橋，將數(shù)個(gè)整流管封在一個(gè)殼內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)完整的整流電路。當(dāng)功率進(jìn)一步增加或由于其他原因要求多相整流時(shí)三相整流電路就被提了出來(lái)。三相整流橋模塊化結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)...

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)。從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等?？煽毓枘K的主要弱點(diǎn)是承...

可關(guān)斷晶閘管也屬于PNP四層三端結(jié)構(gòu)，其等效電路與普通晶閘管相同。盡管它與普通晶閘管在結(jié)構(gòu)和觸發(fā)導(dǎo)通原埋上相同，但兩者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式卻截然不同。普通晶閘管導(dǎo)通后欲使其關(guān)斷，必須使正向電流低于維持電流IH，或施加反問(wèn)電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。而可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通后欲使其關(guān)斷，只要在控制極上加負(fù)向觸發(fā)脈沖即可。這種關(guān)斷原理上的區(qū)別就在于晶閘管導(dǎo)通之后的飽和狀態(tài)不同。普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深飽和狀態(tài)，而可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通后只處于臨界飽和狀態(tài)，所以只要給控制極上加上負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。可...

西門(mén)子快速熔斷器作為一種保護(hù)電路安全的裝置在相關(guān)領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，而且因?yàn)橛辛怂?，人們?cè)谌粘Ｉ钪杏龅诫娐范搪返臓顩r也能得到及時(shí)解決。并且高性能高質(zhì)量的快速熔斷器如今也收獲了消費(fèi)者的信賴(lài)，在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)里慢慢提升了度。不得不說(shuō)專(zhuān)業(yè)的熔斷器實(shí)際應(yīng)用價(jià)值高以及效果好*沒(méi)有理由不受到消費(fèi)者的歡迎。小編要提醒消費(fèi)者朋友們，如果想要西門(mén)子快速熔斷器達(dá)到理想的使用效果還得注意以下幾點(diǎn)事項(xiàng)：、注意避免損壞熔體和觸刀，安裝盡量停電進(jìn)行用戶(hù)在安裝西門(mén)子快速熔斷器的時(shí)候一定要嚴(yán)格執(zhí)行施工工...

西門(mén)子快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過(guò)載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。西門(mén)子快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會(huì)在上面點(diǎn)上某種材質(zhì)的焊點(diǎn)，其目的為了使熔絲在過(guò)載情況下迅速斷開(kāi)。西門(mén)子快速熔斷器就突出“快”，也就靈敏度高，當(dāng)電路電流一過(guò)載，...

西門(mén)子快速熔斷器的--直流熔斷器與交流熔斷器都屬于限流熔斷器的范疇，外形結(jié)構(gòu)十分相似，但開(kāi)斷電流過(guò)程有很大差別：交流電呈正弦波形交替?zhèn)鲗?dǎo)，每周波有一個(gè)過(guò)零點(diǎn)，此時(shí)電量值z(mì)ui低很容易熄滅電??；而直流電的任何波形都不存在過(guò)零點(diǎn)，在開(kāi)斷直流短路故障電流時(shí)，全靠熔斷片的迅速汽化和石英砂的擴(kuò)散吸附和冷卻作用強(qiáng)迫熄滅電弧，因此要比開(kāi)斷交流電弧困難得多。直流西門(mén)子快速熔斷器能替代交流快速熔斷器，反之不可以。西門(mén)子快速熔斷器的結(jié)構(gòu)與填充型保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)基本相同，但熔體材料和形狀不同。它是一個(gè)...

西門(mén)子快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過(guò)載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。西門(mén)子快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會(huì)在上面點(diǎn)上某種材質(zhì)的焊點(diǎn)，其目的為了使熔絲在過(guò)載情況下迅速斷開(kāi)。西門(mén)子快速熔斷器就突出“快”，也就靈敏度高，當(dāng)電路電流一過(guò)載，...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用CM200DU-24H三菱IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。CM200DU-24H三菱IGBT模塊發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的...

德國(guó)EUPEC晶閘管模塊通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。德國(guó)EUPEC晶閘管模塊zui大的特點(diǎn)，就是將晶閘管主電路與本公司獨(dú)立開(kāi)發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)控制電路，巧妙、地集成于一體，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控能力。德國(guó)EUPEC晶閘管模塊具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)...

電梯功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路，以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT，驅(qū)動(dòng)延時(shí)小，所以IPM開(kāi)關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測(cè)IGBT電流和溫度的實(shí)時(shí)檢測(cè)電路，當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重過(guò)載甚至直接短路時(shí)，以及溫度過(guò)熱時(shí)，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時(shí)發(fā)出故障信號(hào)。此外IPM還具有橋臂對(duì)管互鎖、驅(qū)動(dòng)電源欠壓保護(hù)等功能。盡管IPM價(jià)格高一些，但由于電梯功率模塊集...

富士IGBT-PIM模塊zui早將IGBT模塊引入中國(guó)市場(chǎng)。經(jīng)過(guò)幾十年的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件已成為國(guó)內(nèi)UPS、變頻器、電鍍電源領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用，已成為經(jīng)典使用器件！富士IGBT-PIM模塊是一款性?xún)r(jià)比非常高的功率模塊，制作精致，價(jià)格低廉，已成為國(guó)內(nèi)進(jìn)口功率模塊的，性能與價(jià)格的結(jié)合。IPM是InligentPowerModule的縮寫(xiě)，中文資料一般將其譯為“智能功率模塊”；，IM是PowerIntegratedModule的縮寫(xiě)，中文意思是功率集成模塊。實(shí)際上富士IGBT-...

可關(guān)斷晶閘管廠家產(chǎn)品也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。可關(guān)斷晶閘管廠家可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管，是大功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體的供應(yīng)商器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器逆變器的供應(yīng)商使用，用于控制供鐵路車(chē)輛使用的交流牽引電動(dòng)機(jī)?？申P(guān)斷晶閘管廠家可關(guān)斷晶閘管主要特點(diǎn)是當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管普通晶閘管的...

西門(mén)子快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學(xué)穩(wěn)定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄片，且具有圓孔狹頸結(jié)構(gòu)。發(fā)生短路故障時(shí)，狹頸處電流密度大，故狹頸處首先熔斷，并被石英砂分隔成許多小段。這樣，由于熔體熔斷而形成的電弧就被石英砂分隔成許多小段，電弧電流較小，分布的空間小，易被消弧劑吸收。又由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后立即形成一個(gè)絕緣體，將電路分?jǐn)?。快速熔斷器是一種西門(mén)子快速熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體...